首页 >> 标签：SiC
-
解密：感应加热设备效率提升99%、电源模块数减少2.5倍
感应加热系统由感应加热控制板、功率板和加热线圈组成。感应加热，是将工频(50HZ)交流电转换成频率一般为1KHZ至上百KHZ，甚至频率更高的交流电，利用电磁感应原理，通过电感线圈转换成相同频率的...[阅读更多]
2016/01/13 15:52 CAS300M12BM2 | SiC功率模块 | 半桥双功率模块
-
“助攻”电源设计：900V SiC MOSFET导通电阻创新低!
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进...[阅读更多]
2016/01/04 14:52 C3M0065090J | 900V | MOSFET
-
世强：性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和...[阅读更多]
-
世强：业界首款全SiC功率模块问世
集LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的全球著名制造商和行业领先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半桥功率模块 CAS300M17BM2。[阅读更多]
-
世强：SiC功率模块关键在价格，核心在技术
日前，碳化硅(SiC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品...[阅读更多]
-
世强：业界首款900V SiC MOSFET
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战...[阅读更多]
-
世强签约SiC巨头CREE
近日，市场上领先的半导体制造商CREE(科锐)牵手国内最优秀的半导体分销商世强，正式授权后者为其中国地区代理商。[阅读更多]
-
与世界接轨--意大利米兰SICUREZZA安防展
2011年底，意大利建筑安全与自动化部门统计得到的数据表明，安防行业贸易总额相比较去年有4.9%的增长，总体成交额达到了20亿的规模，由于出口贸易的积极贡献（增长了27.3%），这个趋势在2012年上...[阅读更多]
-
-
-
SOC芯片技术及在安防集成中的应用
20世纪90年代中期，因使用ASIC实现芯片组受到启发，萌生应该将完整计算机所有不同的功能块一次直接集成于一颗硅片上的想法。这种芯片，初始起名叫System on a Chip(SOC)，其直译的中文...[阅读更多]
粤公网安备：44030402001522号