首页 >> 标签：MOSFET
-
“助攻”电源设计：900V SiC MOSFET导通电阻创新低!
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进...[阅读更多]
2016/01/04 14:52 C3M0065090J | 900V | MOSFET
-
世强：性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和...[阅读更多]
-
世强：业界首款900V SiC MOSFET
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战...[阅读更多]
粤公网安备：44030402001522号