首页 >> 标签：C3M0065090J
-
“助攻”电源设计：900V SiC MOSFET导通电阻创新低!
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进...[阅读更多]
2016/01/04 14:52 C3M0065090J | 900V | MOSFET
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进...[阅读更多]
2016/01/04 14:52 C3M0065090J | 900V | MOSFET
客服电话：0755-23947175
客服QQ：1144734650
寻求报道：yl.zeng@cps.com.cn
投稿联系：tougao@cps.com.cn
WeChat ID: cpscomcn
m.cps.com.cn
备案号：粤ICP备09063021号 电信增值业务经营许可证：粤B2-20100259 客服热线：0755-88309108
粤公网安备：44030402001522号 深圳市中安网络技术有限公司版权所有Copyright © 1999- 中安网 CPS.COM.CN