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“助攻”电源设计：900V SiC MOSFET导通电阻创新低!
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进...[阅读更多]
2016/01/04 14:52 C3M0065090J | 900V | MOSFET
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世强：业界首款900V SiC MOSFET
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战...[阅读更多]
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